FDZ663P
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDZ663P |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 4-WLCSP (0.8x0.8) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 134mOhm @ 2A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 4-XFBGA, WLCSP |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 525 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.7A (Ta) |
Grundproduktnummer | FDZ66 |
FDZ663P Einzelheiten PDF [English] | FDZ663P PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA
FAIRCHILD BGA
MIXER,DOUBLER,FREQUENCY
MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
MICROWAVE,FREQUENCY DOUBLER
FAIRCHILD BGA
INTEGRATED LOAD SWITCH
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA
DOUBLER,FREQUENCY
MOSFET N-CH 30V 22A BGA
MOSFET N-CH 30V 22A 36BGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDZ663Ponsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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